<МЕТА> - Украина | Рефераты | ua | en
<META> - Украина
Интернет
Реестр
Новости
Рефераты
Товары

Рефераты по физике (всего в разделе: 196)

Переводчик
Загрузка...
Загрузка...
  1. Основы теории цепей

    Министерство высшего и среднего специального образования Российской Федерации Южноуральский Государственный Университет Кафедра «цифровые радиотехнические системы» Пояснительная Записка К Курсовому Проекту по курсу: Основы Теории Цепей ЮУрГУ-К.200780.000 П3 Нормоконтролёр: Руководитель Коровин В.М Коровин В.М «_» 1999г «_» 1999г. Автор проекта Студент группы ПС-266 Суходоев Д.В. «_» 1999г. Проект защищен с оценкой _«_» 1999г. Челябинск 1999г. © raven design Южноуральский Государственный Университет Факультет: ПС Кафедра: ЦРТС Задание по курсовой работе студенту группы Суходоеву Дмитрию Владимировичу. Тема работы: Анализ линейной динамической цепи. Срок сдачи работы:_ Исходные данные к работе:_ R = 1 ком; Rн = 1 ком;. С1 = 1,5774·10-9 Ф; L1 = 0,6339·10-3 Гн;. С2 = 2,3663·10-9 Ф; L1 = 0,4226·10-3 Гн;. Содержание расчетно-пояснительной записки (перечень надлежащих разработке вопросов): 1) электрическая схема фильтра, система уравнений цепи; 2) комплексная функция передачи...
    скачать   посмотреть текст   (240-3103.zip 96.51 k)
  2. Ответы на экзаменационные вопросы по физике: 9 класс

    1 Механическое движение, его характеристики Относительность скорости, перемещения, траектории механического движения Механическим движением тела называется изменение положения тела в пространстве относительно других тел с течением времени При рассмотрении вопросов, связанных с движением тел, можно не принимать во внимание размеры тела Тело, размерами которого в данных условиях можно пренебречь, называют материальной точкой Положение тела (точки) в пространстве можно определить относительно какого-либо другого тела, выбранного за тело отсчета A Тело отсчета, связанная с ним система координат и часы составляют систему отсчета Характеристики механического движения тела: траектория (линия, вдоль которой движется тело), перемещение (направленный отрезок прямой, соединяющий начальное положение тела M1 с его последующим положением M2), скорость (отношение перемещения ко времени движения для равномерного движения) Характеристики механического движения относительны, т е они могут быть различ...
    скачать   посмотреть текст   (vdv-0369.zip 333.05 k)
  3. Пpименение метода частотных диагpамм к иследования устойчивости систем с логическими алгоpитмами упp-я.

    Московский Государственный Технический Университет им Н.Э Баумана Курсовая работа по курсу “Нелинейные САУ” на тему: Применение метода частотных круговых диаграмм к исследованию устойчивости систем с логическими алгоритмами управления. Выполнил: ст-т гр АК4-81 Смык В.Л. Руководитель: профессор Хабаров В.С. Реутов 1997 г. Применение метода частотных круговых диаграмм к исследованию устойчивости систем с логическими алгоритмами управления. На ранней стадии развития теории автоматического регулирования требование устойчивости работы системы было первым и обычно единственным и содержание большинства теоретических исследований сводилось к иследованию устойчивости. “Термин “устойчивость” настолько выразителен, что он сам за себя говорит”,-отмечают в начале изложения теории устойчивости Ж Ла Салль и С Лефшец [1] Это вполне справедливо, но, несмотря на это, неточности и нелогичности можно встретить как раз не в математических, а в смысловых понятиях и терминах. Устойчивостью любого явления...
    скачать   посмотреть текст   (240-0196.zip 115.21 k)
  4. Пpодольный магнитооптический эффект Фаpадея

      Продольный магнитооптический эффект Фарадея.   1 Основные свойства эффекта.  Продольный магнитооптический эффект состоит в повороте плоскости поляризации луча света, проходящего через прозрачную среду, находящуюся в магнитном поле Этот эффект был открыт в 1846 году Открытие магнитооптического эффекта долгое время имело значение в чисто физическом аспекте, но за последние десятилетия оно дало много практических выходов Также были открыты другие магнитооптические эффекты, в частности, хорошо известный эффект Зеемана и эффект Керра, проявляющийся в повороте плоскости поляризации луча, отраженного от намагниченной  среды наш интерес к эффектам Фарадея и Керра обусловлен их применением в физике, оптике и электронике К ним относятся :   определение эффективной массы носителей заряда или их плотности в полупроводниках;   амплитудная модуляция лазерного излучения для оптических  линий связи и определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках;   изготовление оптическ...
    скачать   посмотреть текст   (prodol.zip 44.98 k)
  5. Пpостpанство и вpемя в физике

    Содержание лист Введение 2 1 Развитие пространственно-временных представлений в классической механике 3 2 Пространство и время в теории относительности Альберта Эйнштейна 8 2.1 Специальная теория относительности 8 2.2 Пространство и время в общей теории относительности и релятивистской космологии 10 3 Пространство и время в физике микромира 15 3.1 Пространственно-временные представления квантовой механики 15 3.2 Прерывность и непрерывность пространства и времени в физике микромира 18 3.3 Проблема макроскопичности пространства и времени в микромире 20 Заключение 23 Литература 24 2 Введение. Диалектический материализм исходит из того, что "в мире нет ничего, кроме движущейся материи, и движущаяся материя не может двигаться иначе, как в пространстве и во времени"(*). Пространство и время, следовательно, выступают фундаментальными формами существования материи Классическая физика рассматривала пространственно временной континуум как универсальную арену динамики физических объ...
    скачать   посмотреть текст   (240-0796.zip 21.18 k)
  6. Переходные процессы в линейных цепях

    Содержание работы В коммутируемой цепи содержатся источники постоянных э.д.с E или тока J, источники гармонической э.д.с e=Em sin(wt +j) или тока j=Jm sin(wt +j) c частотой w =1000 c-1 или источник с заданной линейной зависимостью напряжения или тока от времени, три коммутируемых в заданные моменты времени ключа Непосредственно перед первой коммутацией в цепи имеется установившийся режим. Рассчитать: 1 Классическим методом ток, указанный на схеме, на трех интервалах, соответствующих коммутациям ключей, при наличии в цепи постоянных и синусоидальных источников. 2 Операторным методом тот же ток. 3 Любым методом на четвертом интервале ток i1=(t) после замены синусоидального источника источником с заданной зависимостью напряжения или тока от времени. Задание 1 Схема замещения анализируемой цепи и значения параметров выбираются на рис 1 и в таблице 1 в соответствии с номером варианта N-номером в списке учебной группы Остальные параметры рассчитываются по формулам E=10N (В), Em=10N (В), J=0,4N (А), Jm=0,4N (...
    скачать   посмотреть текст   (240-1311.zip 26.61 k)
  7. Плазма

    Плазма частично или полностью ионизированный газ, в котором плотности положительных и отрицательных зарядов практически одинаковы В лабораторных условиях плазма образуется в электрическом разряде в газе, в процессах горения и взрыва Когда луч лазера сфокусировали линзой, в воздухе в области фокуса вспыхнула искра, и там образовалась плазма Это вызвало огромный интерес у физиков Первые затравочные электроны появляются в результате вырывания их из атомов среды после одновременного поглощения нескольких фотонов световой волны Энергия каждого фотона рубинового лазера равна 1, 78 эВ Далее свободный электрон, поглощая фотоны, достигает энергии 10 эВ, достаточной для ионизации и рождения нового электрона в процессе столкновения с атомами среды Разряд может гореть в течение длительного времени и светится ослепительно белым светом, на него невозможно смотреть без темных очков Необычайно высокая температура уникальное свойство оптического заряда представляет большие возможности для использовани...
    скачать   посмотреть текст   (vdv-1370.zip 6.11 k)
  8. Подборка основных формул по физике

    Краткий справочник по физике.Гридасов А.Ю Новосибирск 1997г.Файл содержит формулы из курса физики, которые будут полезны учащимся старших классов школ и младших курсов вузов Все формулы изложены в компактном виде с небольшими комментариями Файл также содержит полезные константы и прочую информацию.Данный файл может быть напечатан и распространяться в некоммерческих целях без ограничений.Фундаментальные константы.Название константы Обозн Значение Измерение Гравитационная постоянная G 6,672*10-11 Н*м2/кг2 Ускорение свободного падения G 9,8065 м/с2 Атмосферное давление p0 101325 Па Постоянная Авогадро Na 6,022045*1023 Моль-1 Объем 1моль идеального газа V0 22,41383 м3/моль Газовая постоянная R 8,31441 Постоянная Больцмана K 1,380662*10-23 Дж/К Скорость света в вакууме C 2,99792458*108 м/с Магнитная постоянная 0 4*10-7=1,25663706*10-6 Гн/м Электрическая постоянная 0 8,8541878*10-12 Ф/м Масса покоя электрона me 9,109534*10-31 кг Масса покоя протона mp 1,6726485*10-27 кг Масса п...
    скачать   посмотреть текст   (240-2482.zip 129.68 k)
  9. Полупроводниковые дидоды

    На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования пе- ременного тока в постоянный.Их основные параметры: I при прямом смещении и заданном токе;I обратном смещении и заданном напряжении;V мальное обратное напряжение; f-диапазон частот,в котором выпрямленный ток не снижается меньше заданного уровня.По величине выпрямленного тока выпрямительные диоды малой(I няются плоскостные p-n-переходы,полученные сплавлением и диффузией. Высокие значения I нием p-n-переходов с большой площадью. Большие значения V честве базы диода материала с высоким удельным сопротивле-нием.Наибольшие значения V использовании p-i-n-диода,так ширина области объемного заря-да в нем наибольшая,а следовательно,наибольшее и значение напряжение пробоя.Так как с изменением температуры V изменяется, то его значение дается для определенной темпера-туры (обычно комнатную).При больших Iп...
    скачать   посмотреть текст   (240-1816.zip 8.07 k)
  10. Полупроводниковые пластины. Методы их получения

    Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических полупроводниковых пластинах с использованием фотолитографии Полупроводниковые пластины, предназначенные для формирования изделий микроэлектроники, характеризуются совершенной атомной структурой и высокой геометрической точностью обеспечения этих качеств разработана оригинальная технология механической, химической и химико-механической обработки моно-кристаллических материалов, создано прецизионное оборудование, зачастую не имеющее аналогов в других отраслях народного хозяйства Обработка полупроводниковых пластин требует высокой квалификации операторов и обслуживающего персонала, неукоснительного соблюдения технологической дисциплины и обязательного поддержания особой чистоты применяемых материалов и вакуумной гигиены в производств...
    скачать   посмотреть текст   (polu.zip 361.36 k)
Страницы:  назад 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 вперед
Поиск:
Примеры запросов: реферат
добавить сайт | реклама на портале | контекстная реклама | контакты Copyright © 1998-2017 <META> Все права защищены
bigmir)net TOP 100